法国国家科学研究中心资深科学家、WIND带头人
Farid Medjdoub是法国国家科学研究中心（CNRS）资深科学家，目前在法国微电子与纳米技术研究所（IEMN）带领 WIND 课题组，专门从事宽禁带半导体材料与器件研究。2004年获里尔大学电气工程博士学位，随后在德国乌尔姆大学担任研究员，2008年加入IMEC担任资深科学家。主要研究方向是新型宽禁带器件的设计、制备、测试与仿真，研究成果多次达到国际顶尖水平，如场效应晶体管热稳定性可达 1000℃、实现截止频率与击穿电压的最佳组合，以及通过局部衬底减薄技术，获得硅基横向氮化镓器件迄今最高击穿电压等。他在该领域发表及合作发表论文250余篇，拥有多项发明专利。自2019年起，他负责法国国家级研究网络 GaNexT 中氮化物功率电子相关研究工作。
氮化镓以及更广泛意义上的宽禁带半导体技术，正凭借其实现传统半导体平台无法企及的功率密度、工作频率与能效水平，重塑现代电子技术格局。其中，氮化镓基晶体管已成为面向下一代射频、毫米波和功率系统极具前景的候选技术方案。然而，除器件峰值性能之外，其大规模应用最终取决于一个核心问题：可靠性。 本次主旨报告将探讨先进氮化镓器件物理的最新进展，如何助力构建更鲁棒、更可靠的电子系统。报告将重点阐述异质结设计、静电控制、载流子限制、热管理与高场特性之间的紧密关联，这些均是高性能氮化镓晶体管研发的关键环节。报告将特别聚焦面向高频与毫米波应用的器件结构，在这类场景中，尺寸缩比、传输效率与功率处理能力必须与击穿特性、俘获效应、稳定性及长期可靠性相兼顾。 基于氮化镓晶体管设计的最新突破，本次报告将展示沟道工程、势垒设计与电场调控方面的创新，如何在严苛工作条件下同步提升射频性能、线性度、耐压能力与器件鲁棒性。这些成果反映了该领域整体发展趋势：可靠性不能再仅仅作为事后的验证环节，而必须直接融入器件概念设计、技术研发与面向系统的优化全过程。 本次报告旨在提供前瞻性视角，阐述氮化镓电子器件如何从高性能演示验证，迈向真正可靠、可支撑下一代高频与高功率系统的技术平台。