第十七届国际可靠性维修性安全性会议

东南大学，副研究员。长期从事氮化镓功率器件及其集成技术研究，主持了多项国家级和省部级重点科研项目，在本领域国际顶级期刊IEEE TIE/TPEL/EDL以及顶级会议IEDM、ISPSD等发表论文60余篇，授权中国发明专利30余项，主持国家、省部级项目10余项，获教育部科技进步一等奖。

电子科技大学，教授/博导。一直从事宽禁带半导体碳化硅功率器件及其集成技术研究，主持了多项国家级和省部级重点科研项目，在本领域国际顶级期刊IEEE TPEL/EDL/TED以及顶级会议ISPSD、ICSCRM等发表论文100余篇，授权中国发明专利30余项，多个国际学术会议的TPC成员，获北京市科技发明二等奖。

东南大学教授，博导，入选国家高层次人才工程特聘教授、WR计划青年拔尖人才、江苏省杰青，主要从事功率半导体集成技术研究。主持国家自然科学重点基金、国家重点研发计划课题等15项。发表SCI论文113篇，IEDM、VLSI、ISPSD等国际会议论文25篇，授权美国专利7项、中国发明专利45项。获国家技术发明二等奖（排2）、教育部科技进步一等奖（排2）、中国青年科技奖、中国电子学会青年科学家奖。

西安电子科技大学集成电路学部教授、博士生导师，卓越工程师学院副院长，入选国家级青年人才计划。长期从事宽禁带半导体氮化镓器件创新与应用研究，推动了高能效氮化镓射频技术在国家重大工程、5G通信等领域的产业化应用，发表SCI论文100余篇，获授权发明专利30项，其中美国专利2项，科研成果获得国家科技进步一等奖1项（2023年，排名第4）、省部级一等奖4项、陕西省专利奖二等奖1项。

电子科技大学，研究员，入选国家级青年人才计划，在SiC MOSFET设计、可靠性、超结等方面取得系列创新成果，在SiC MOSFET芯片及其应用领域顶级期刊IEEE TIE、TPE、EDL、TED以及行业顶级会议IEEE ISPSD等发表论文95篇（其中第一/通讯作者42篇），负责自科重点、面上、青年、国家部委专项、省重点项目36项（主持14项，主研22项），已授权国家发明专利18项。

西安理工大学教授，博士生导师，陕西省特支计划青年拔尖人才，陕西省青年科技新星，陕西省高校优秀青年人才，陕西省功率半导体器件及装备创新团队青年骨干。从事半导体功率器件方面的研究工作。主持或参与国家级、省部级和企业项目30余项，在IEEE EDL、TED、SST等国际期刊独立或合作发表学术论文50余篇，授权发明专利20余项。

南京大学电子科学与工程学院，研究员，博导，国家级青年人才，从事第三代宽禁带半导体技术研究，主持/参与国家科技重大专项、国家重点研发计划、国家自然科学基金、江苏省重点研发计划课题等项目，第一/通讯作者发表论文30余篇，包括Nature Communications, IEEE IEDM/EDL等，第一发明人授权专利20余项，多项专利成果转化至业内多家企业，获得国家/省部级等奖项，入选国家级青年人才、中国科协青年人才托举工程、江苏省青托/科技副总等计划。